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SCT3030AL
19.368
SCT3030AL 数据手册 (15 页)
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SCT3030AL 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-247
漏源极电阻
0.03 Ω
极性
N-Channel
功耗
262 W
阈值电压
5.6 V
漏源极电压(Vds)
650 V
工作温度(Max)
175 ℃

SCT3030AL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
15 页 / 1.06 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
41 页 / 0.88 MByte

SCT3030 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
SCT3030AL 系列 650 V 70 A 39 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
SCT3030KL 系列 1200 V 72 A 39 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, SiC, N沟道, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, 18 V, 5.6 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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