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器件3D模型
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SDTC114YET1G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
双极性晶体管
封装:
SOT-416-3
描述:
数字晶体管( BRT ) R1 = 10千欧, R2 = 47 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 47 k
Pictures:
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SDTC114YET1G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-416-3
无卤素状态
Halogen Free
极性
NPN
功耗
0.3 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
80 @5mA, 10V
额定功率(Max)
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW
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SDTC114YET1G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
查看数据手册 >
SDTC114YET1G 符合标准
SDTC114YET1G 海关信息
SDTC114YET1G 概述
●
晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) NPN - 预偏压 表面贴装型 SC-75,SOT-416
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13 页 / 0.38 MByte
SDTC114YET1G
产品设计图
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.02 MByte
SDTC114YET1G
开发手册
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.16 MByte
SDTC114YET1G
产品修订记录
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.04 MByte
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SDTC114YET1
G
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
数字晶体管( BRT ) R1 = 10千欧, R2 = 47 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 47 k
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