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SGB02N120
1.099
SGB02N120 数据手册 (11 页)
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SGB02N120 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
额定功率(Max)
62 W

SGB02N120 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Design
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
高度
4.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SGB02N120 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.42 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 2 MByte

SGB02 数据手册

Infineon(英飞凌)
快速S- IGBT在NPT技术 Fast S-IGBT in NPT-technology
Infineon(英飞凌)
单晶体管, IGBT, NPT, 6.2 A, 3.1 V, 62 W, 1.2 kV, TO-263, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
在NPT技术降低75 %的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Siemens Semiconductor(西门子)
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