￥ 0.723

SGB02N60ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SGB02N60ATMA1 数据手册 (3 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SGB02N60ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

功耗

30000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

额定功率(Max)

30 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

30000 mW

SGB02N60ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SGB02N60ATMA1 符合标准

SGB02N60ATMA1 概述

SGB02N60ATMA1 数据手册

SGB02N60ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

SGB02N60ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.77 MByte

SGB02N60 数据手册

Infineon（英飞凌）

在NPT技术降低75 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation

SGB02N60 数据手册

Siemens Semiconductor（西门子）

SGB02N60ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号