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SGL50N60RUFDTU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-264-3

描述:

SGL50N60RUFD系列 600 V 80 A 法兰安装短路额定 IGBT -TO-264

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SGL50N60RUFDTU 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

SGL50N60RUFDTU 数据手册 (8 页)

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SGL50N60RUFDTU 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-264-3

针脚数

3 Position

功耗

250 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

100 ns

额定功率(Max)

250 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250000 mW

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SGL50N60RUFDTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SGL50N60RUFDTU 符合标准

SGL50N60RUFDTU 海关信息

SGL50N60RUFDTU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.33 MByte

SGL50N60RUFDTU 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.13 MByte

SGL50N60RUFDTU 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.55 MByte

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