器件3D模型

￥ 0.786

SH8K32GZETB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOP-8

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SH8K32GZETB 数据手册 (5 页)

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SH8K32GZETB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOP-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.046 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

4.5A

上升时间

18 ns

下降时间

13 ns

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SH8K32GZETB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SH8K32GZETB 符合标准

SH8K32GZETB 海关信息

SH8K32GZETB 概述

SH8K32GZETB 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.11 MByte

SH8K32GZETB 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

14 页 / 1.5 MByte

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2个N沟道 60V 4.5A

SH8K32GZETB 数据手册

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双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V

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