器件3D模型

￥ 1.117

SH8M24GZETB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOP-8

描述:

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 45 V, 0.033 ohm, 10 V, 10 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SH8M24GZETB 数据手册 (5 页)

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SH8M24GZETB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOP-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.033 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

3.1 W

阈值电压

10 V

漏源极电压(Vds)

45 V

工作温度(Max)

150 ℃

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SH8M24GZETB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

150℃ (TJ)

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SH8M24GZETB 符合标准

SH8M24GZETB 概述

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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