器件3D模型

￥ 0.316

SH8M24TB1 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

MOSFET-阵列-N-和-P-沟道-45V-4.5A-3.5A-2W-表面贴装型-8-SOP

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SH8M24TB1 数据手册 (4 页)

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SH8M24TB1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

通道数

2 Channel

漏源极电阻

46 mΩ

功耗

2 W

漏源极电压(Vds)

45 V

漏源击穿电压

45 V

输入电容值(Ciss)

550pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

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SH8M24TB1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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SH8M24TB1 符合标准

SH8M24TB1 概述

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