器件3D模型

￥ 0.738

SH8M41GZETB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

晶体管

封装:

SOP-8

描述:

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.4 A, 80 V, 0.09 ohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SH8M41GZETB 数据手册 (9 页)

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SH8M41GZETB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOP-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.09 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

2 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

80 V

连续漏极电流(Ids)

3.4A/2.6A

输入电容值(Ciss)

600pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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SH8M41GZETB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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SH8M41GZETB 符合标准

SH8M41GZETB 概述

SH8M41GZETB 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

9 页 / 0.18 MByte

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