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SI1012X-T1
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SI1012X-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SC-89
漏源极电阻
850 mΩ
极性
N-Channel
功耗
250 mW
漏源击穿电压
20.0 V
栅源击穿电压
±6.00 V
连续漏极电流(Ids)
500 mA

SI1012X-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

SI1012X-T1 数据手册

VISHAY(威世)
6 页 / 0.09 MByte
VISHAY(威世)
6 页 / 0.08 MByte

SI1012 数据手册

VISHAY(威世)
N沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
N沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Silicon Labs(芯科)
射频微控制器 - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI1012R-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 20 V, 0.41 ohm, 4.5 V, 900 mV
Micro Commercial Components(美微科)
MOS管
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI1012CR-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 630 mA, 20 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 400 mV
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