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Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > SI1013CX-T1-GE3 Datasheet 文档
SI1013CX-T1-GE3
器件3D模型
0.074

SI1013CX-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SC-89-3
极性
P-CH
功耗
0.19 W
输入电容
45 pF
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
0.45A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
45pF @10V(Vds)
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
190mW (Ta)

SI1013CX-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI1013CX-T1-GE3 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.19 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 0.18 MByte

SI1013CXT1 数据手册

VISHAY(威世)
表面贴装型-P-通道-20V-450mA(Ta)-190mW(Ta)-SC-89-3
Vishay Semiconductor(威世)
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