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SI1013X
0.045
SI1013X 数据手册 (6 页)
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SI1013X 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SC-89
漏源极电阻
1.20 Ω
极性
P-Channel
功耗
250 mW
漏源极电压(Vds)
20 V
栅源击穿电压
±6.00 V
连续漏极电流(Ids)
0.35A

SI1013X 数据手册

VISHAY(威世)
6 页 / 0.06 MByte
VISHAY(威世)
6 页 / 0.09 MByte

SI1013 数据手册

VISHAY(威世)
P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
表面贴装型-P-通道-20V-450mA(Ta)-190mW(Ta)-SC-89-3
Silicon Labs(芯科)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI1013R-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P通道, -20V, -350MA, SOT-416-3
Vishay Semiconductor(威世)
P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Silicon Labs(芯科)
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