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器件3D模型
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SI1013X-T1 数据手册 - VISHAY(威世)
制造商:
VISHAY(威世)
分类:
MOS管
Pictures:
3D模型
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SI1013X-T1 数据手册
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SI1013X-T1 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
漏源极电阻
1.20 Ω
极性
P-Channel
功耗
250 mW
漏源击穿电压
-20.0 V
栅源击穿电压
±6.00 V
连续漏极电流(Ids)
-350 mA
SI1013X-T1 符合标准
SI1013X-T1 数据手册
SI1013X-T1
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VISHAY(威世)
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