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SI1022R-T1-E3/BKN
0.16
SI1022R-T1-E3/BKN 数据手册 (5 页)
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SI1022R-T1-E3/BKN 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SC-75
漏源极电阻
5 Ω
功耗
250 mW
输入电容
30pF @25V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
热阻
500℃/W (RθJA)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SI1022R-T1-E3/BKN 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
长度
1.68 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI1022R-T1-E3/BKN 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
5 页 / 0.06 MByte

SI1022RT1E3 数据手册

VISHAY(威世)
N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
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