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SI1025X-T1 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI1025X-T1 数据手册 (5 页)

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SI1025X-T1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

漏源极电阻

4.00 Ω

极性

P-Channel

功耗

250 mW

漏源击穿电压

-60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

-500 nA

SI1025X-T1 符合标准

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