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SI1025X-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

描述:

P通道60 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI1025X-T1-E3 数据手册 (7 页)

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SI1025X-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

6 Pin

漏源极电阻

4.00 Ω

极性

P-Channel

功耗

250 mW

漏源极电压(Vds)

-60.0 V

漏源击穿电压

-60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

500 mA

SI1025X-T1-E3 符合标准

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