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SI1031R-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

描述:

P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI1031R-T1-E3 数据手册 (7 页)

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SI1031R-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

漏源极电阻

8.00 Ω

极性

P-Channel

功耗

280 mW

漏源极电压(Vds)

-20.0 V

漏源击穿电压

-20.0 V

栅源击穿电压

±6.00 V

连续漏极电流(Ids)

-150 mA

SI1031R-T1-E3 符合标准

SI1031R-T1-E3 数据手册

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