￥ 0.122

SI1032R-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SC-75

描述:

N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI1032R-T1-GE3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在5 页 6 页

SI1032R-T1-GE3 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI1032R-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SC-75

针脚数

3 Position

漏源极电阻

5 Ω

极性

N-Channel

功耗

250 mW

阈值电压

700 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

连续漏极电流(Ids)

200 mA

上升时间

25 ns

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

0.28 W

查看数据手册 >

SI1032R-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

长度

1.68 mm

宽度

0.86 mm

高度

0.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

SI1032R-T1-GE3 符合标准

SI1032R-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.19 MByte

SI1032R-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

7 页 / 0.12 MByte

SI1032RT1 数据手册

SI1032R-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

N沟道1.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET

SI1032R-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI1032R-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

SI1032R-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

N沟道1.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET

SI1032R-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI1032R-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

N沟道1.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET

SI1032R-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology

SI1032R-T1-E3 数据手册

Vishay Intertechnology

SI1032R-T1-E3. 数据手册

Vishay Siliconix

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号