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SI1302DL
0.059
SI1302DL 数据手册 (4 页)
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SI1302DL 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-323
漏源极电阻
480 mΩ
极性
N-Channel
功耗
310 mW
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
640 mA

SI1302DL 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
4 页 / 0.03 MByte

SI1302 数据手册

VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI1302DL-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 640 mA, 30 V, 0.41 ohm, 10 V, 1 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
SI1302DL N沟道MOSFET 30V 640mA/0.64A SOT-323/SC-70 marking/标记 KA 高速开关/低阈值电压
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