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SI1304BDL-T1-GE3
器件3D模型
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SI1304BDL-T1-GE3 数据手册 (12 页)
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SI1304BDL-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SC-70-3
功耗
340mW (Ta), 370mW (Tc)
漏源极电压(Vds)
30 V
输入电容值(Ciss)
100pF @15V(Vds)
耗散功率(Max)
340mW (Ta), 370mW (Tc)

SI1304BDL-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI1304BDL-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
12 页 / 0.22 MByte
Vishay Siliconix
11 页 / 0.22 MByte

SI1304BDLT1 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI1304BDL-T1-E3.  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 900mA, SC-70
VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
N沟道30 V (D -S )的MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
N沟道30 V (D -S )的MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
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