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SI1539CDL-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-363

描述:

VISHAY SI1539CDL-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 700 mA, 30 V, 0.323 ohm, 10 V, 1.2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI1539CDL-T1-GE3 数据手册 (16 页)

封装尺寸在12 页 13 页

SI1539CDL-T1-GE3 数据手册 (16 页)

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SI1539CDL-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-363

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.323 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

340 mW

阈值电压

1.2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

工作温度(Max)

150 ℃

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SI1539CDL-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI1539CDL-T1-GE3 符合标准

SI1539CDL-T1-GE3 海关信息

SI1539CDL-T1-GE3 数据手册

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SI1539CDL-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

16 页 / 0.23 MByte

SI1539CDL-T1-GE3 产品修订记录

Vishay Semiconductor（威世）

1 页 / 0.14 MByte

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