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SI1539CDL-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

RF模块、IC及配件

封装:

SC-70-6

描述:

SI1539CDL-T1-GE3 编带

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI1539CDL-T1-GE3 数据手册 (16 页)

封装尺寸在12 页 13 页

SI1539CDL-T1-GE3 数据手册 (16 页)

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SI1539CDL-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SC-70-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.323 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

0.29 W

阈值电压

1.2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

700mA

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

340 mW

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SI1539CDL-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

最小包装数量

3000

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SI1539CDL-T1-GE3 符合标准

SI1539CDL-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

16 页 / 0.23 MByte

SI1539CDL-T1-GE3 产品修订记录

VISHAY（威世）

1 页 / 0.14 MByte

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VISHAY SI1539CDL-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 700 mA, 30 V, 0.323 ohm, 10 V, 1.2 V

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