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SI1539DL-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-363-6

描述:

VISHAY SI1539DL-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 540 mA, 30 V, 0.41 ohm, 10 V, 2.6 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI1539DL-T1-E3 数据手册 (8 页)

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SI1539DL-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-363-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.41 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

270 mW

阈值电压

2.6 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

±30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

630 mA

工作温度(Max)

150 ℃

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SI1539DL-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.1 mm

宽度

1.25 mm

高度

1 mm

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SI1539DL-T1-E3 符合标准

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