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SI1553DL-T1
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SI1553DL-T1 数据手册 (8 页)
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SI1553DL-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-363
漏源极电阻
385 mΩ
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
300 mW
漏源极电压(Vds)
20.0 V
漏源击穿电压
±20.0 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
660 mA

SI1553DL-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

SI1553DL-T1 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.1 MByte

SI1553 数据手册

VISHAY(威世)
双 N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
互补的2.5 -V (G -S )的MOSFET Complementary 2.5-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
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