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SI1563EDH-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SC-70

描述:

VISHAY SI1563EDH-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双路, N和P沟道, 1.13 A, 20 V, 0.22 ohm, 4.5 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI1563EDH-T1-E3 数据手册 (16 页)

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SI1563EDH-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SC-70

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.22 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

570 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

±20.0 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.13 A

工作温度(Max)

150 ℃

SI1563EDH-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

SI1563EDH-T1-E3 符合标准

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