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SI2303BDS-T1
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SI2303BDS-T1 数据手册 (9 页)
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SI2303BDS-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
380 mΩ
极性
P-Channel
功耗
900 mW
漏源极电压(Vds)
-30.0 V

SI2303BDS-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

SI2303BDS-T1 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.15 MByte

SI2303 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Micro Commercial Components(美微科)
SI2303-TP 编带
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2303CDS-T1-GE3.  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -2.7A
VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2303BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.49 A, -30 V, 0.15 ohm, -10 V, -3 V
VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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