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Datasheet 搜索 > MOS管 > Micro Commercial Components(美微科) > SI2305-TP Datasheet 文档
SI2305-TP
0.02

SI2305-TP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
极性
P-CH
功耗
350mW (Ta)
漏源极电压(Vds)
8 V
连续漏极电流(Ids)
4.1A
上升时间
35 ns
输入电容值(Ciss)
740pF @4V(Vds)
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
350mW (Ta)

SI2305-TP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI2305-TP 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
4 页 / 0.34 MByte
Micro Commercial Components(美微科)
5 页 / 0.07 MByte

SI2305 数据手册

VISHAY(威世)
P沟道8 V (D -S )的MOSFET P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道1.25 W, 1.8 V(G -S )的MOSFET P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2305CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.8 A, -8 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -1 V
VISHAY(威世)
P沟道8 V (D -S )的MOSFET P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
Micro Commercial Components(美微科)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2305DS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -8 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV
VISHAY(威世)
P沟道8 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道1.25 W, 1.8 V(G -S )的MOSFET P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
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