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SI2309CDS-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23

描述:

P通道60 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI2309CDS-T1-E3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在6 页 7 页

SI2309CDS-T1-E3 数据手册 (9 页)

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SI2309CDS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23

功耗

1000 mW

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

210pF @30V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1000 mW

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SI2309CDS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1.02 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI2309CDS-T1-E3 符合标准

SI2309CDS-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

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