￥ 0.381

SI2309DS 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23

描述:

P通道60 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI2309DS 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI2309DS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT-23

漏源极电阻

340 mΩ

极性

P-Channel

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

60 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.25A

SI2309DS 符合标准

SI2309DS 概述

SI2309DS 数据手册

SI2309DS 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

5 页 / 0.06 MByte

SI2309DS 产品手册

VISHAY（威世）

5 页 / 0.09 MByte

SI2309 数据手册

SI2309CDS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

P通道60 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

SI2309CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI2309CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI2309CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.6 A, -60 V, 285 mohm, -10 V, -1 V

SI2309CDS-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

P通道60 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

SI2309CDS-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI2309DS 数据手册

VISHAY（威世）

P通道60 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

SI2309DS-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

P通道60 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

SI2309DS-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

P通道60 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

SI2309DS-T1 数据手册

Vishay Siliconix

SI2309CDS-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

P通道60 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号