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SI2315BDS-T1
0.093
SI2315BDS-T1 数据手册 (6 页)
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SI2315BDS-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-236
漏源极电阻
100 mΩ
极性
P-Channel
功耗
750 mW
栅源击穿电压
±8.00 V

SI2315BDS-T1 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.12 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
5 页 / 0.05 MByte

SI2315 数据手册

VISHAY(威世)
-12V,-3A,P沟道功率MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2315BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -900 mV
VISHAY(威世)
场效应管, MOSFET, P沟道, -3A, -12V, 750mW
VISHAY(威世)
P沟道1.25 W, 1.8 V(G -S )的MOSFET P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2315BDS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -3A, -12V, 750mW
VISHAY(威世)
P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
Vishay Siliconix
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