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SI2315DS-T1 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

P沟道MOS管

封装:

SOT-23

描述:

P沟道1.25 W， 1.8 V（G -S ）的MOSFET P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI2315DS-T1 数据手册 (4 页)

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SI2315DS-T1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23

漏源极电阻

50.0 mΩ

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

-12.0 V

漏源击穿电压

-12.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.20 A

上升时间

15.0 ns

SI2315DS-T1 符合标准

SI2315DS-T1 数据手册

SI2315DS-T1 产品手册

Vishay Semiconductor（威世）

4 页 / 0.05 MByte

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