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SI2315DS-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI2315DS-T1-E3 数据手册 (3 页)

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SI2315DS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电流

-3.50 A

封装

SOT-23-3

漏源极电阻

50.0 mΩ

极性

P-Channel

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

12 V

漏源击穿电压

-12.0 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

3.50 A

SI2315DS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

SI2315DS-T1-E3 符合标准

SI2315DS-T1-E3 数据手册

SI2315DS-T1-E3 其他数据使用手册

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