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SI2318DS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

场效应管, MOSFET, N沟道, 3A, 40V, 750mW

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI2318DS-T1-GE3 数据手册 (8 页)

封装尺寸在5 页 6 页

SI2318DS-T1-GE3 数据手册 (8 页)

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SI2318DS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.036 Ω

极性

N-CH

功耗

1.25 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

540pF @20V(Vds)

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

750mW (Ta)

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SI2318DS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

最小包装数量

3000

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SI2318DS-T1-GE3 符合标准

SI2318DS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

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