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SI2325DS-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

P沟道150 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 150-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI2325DS-T1-E3 数据手册 (8 页)

封装尺寸在6 页

SI2325DS-T1-E3 数据手册 (8 页)

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SI2325DS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.3 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.25 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

150 V

连续漏极电流(Ids)

-690 mA

输入电容值(Ciss)

510pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

750 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

750 mW

查看数据手册 >

SI2325DS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.04 mm

宽度

1.4 mm

高度

1.02 mm

最小包装数量

3000

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SI2325DS-T1-E3 符合标准

SI2325DS-T1-E3 概述

SI2325DS-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.15 MByte

SI2325DS-T1-E3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

9 页 / 0.18 MByte

SI2325DS-T1-E3 产品修订记录

VISHAY（威世）

2 页 / 0.09 MByte

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