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SI2325DS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23

描述:

VISHAY SI2325DS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -530 mA, -150 V, 1 ohm, -10 V, -4.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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封装尺寸在6 页 7 页

SI2325DS-T1-GE3 数据手册 (9 页)

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SI2325DS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1 Ω

极性

P-Channel

功耗

750 mW

漏源极电压(Vds)

-150 V

连续漏极电流(Ids)

-690 mA

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

750 mW

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SI2325DS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1.02 mm

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SI2325DS-T1-GE3 符合标准

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