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SI2325DS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI2325DS-T1-GE3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在6 页 7 页

SI2325DS-T1-GE3 数据手册 (9 页)

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SI2325DS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT-23-3

漏源极电阻

1.3 Ω

功耗

750mW (Ta)

漏源极电压(Vds)

150 V

输入电容值(Ciss)

510pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

750mW (Ta)

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SI2325DS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SI2325DS-T1-GE3 符合标准

SI2325DS-T1-GE3 概述

SI2325DS-T1-GE3 数据手册

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