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Datasheet 搜索 > Vishay Intertechnology > SI2333CDS-T1-GE3 Datasheet 文档
SI2333CDS-T1-GE3
0.265

SI2333CDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
28.5 mΩ
功耗
2.5 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SI2333CDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
1.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI2333CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology
9 页 / 0.22 MByte
Vishay Intertechnology
9 页 / 0.21 MByte

SI2333CDST1 数据手册

VISHAY(威世)
P通道12 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P通道12 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2333CDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -7.1 A, -12 V, 0.0285 ohm, -4.5 V, -400 mV
Vishay Intertechnology
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