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SI2333DS-T1
0.107
SI2333DS-T1 数据手册 (6 页)
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SI2333DS-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23
漏源极电阻
32.0 mΩ
极性
P-Channel
功耗
1.25 W
漏源极电压(Vds)
12 V
连续漏极电流(Ids)
-4.10 A

SI2333DS-T1 数据手册

VISHAY(威世)
6 页 / 0.09 MByte

SI2333 数据手册

VISHAY(威世)
P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
无卤符合IEC 61249-2-21 Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VISHAY(威世)
P通道12 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P通道12 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2333DDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -12 V, 0.023 ohm, -4.5 V, 400 mV
VISHAY(威世)
场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -12V, 750mW
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