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Datasheet 搜索 > Vishay Intertechnology > SI2337DS-T1-GE3 Datasheet 文档
SI2337DS-T1-GE3
1.207

SI2337DS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-236
漏源极电阻
0.216 Ω
功耗
760 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SI2337DS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI2337DS-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology
10 页 / 0.25 MByte
Vishay Intertechnology
10 页 / 0.24 MByte

SI2337DST1 数据手册

VISHAY(威世)
P通道80 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 80-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P通道80 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 80-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2337DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -80 V, 0.216 ohm, -10 V, -4 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2337DS-T1-E3  晶体管, P沟道
Vishay Intertechnology
Vishay Intertechnology
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