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SI2399DS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

RF模块、IC及配件

封装:

SOT-23-3

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.028 ohm, -10 V, -600 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI2399DS-T1-GE3 数据手册 (10 页)

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SI2399DS-T1-GE3 数据手册 (10 页)

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SI2399DS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.028 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.25 W

阈值电压

600 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

5.1A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

835pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1250 mW

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SI2399DS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SI2399DS-T1-GE3 符合标准

SI2399DS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

10 页 / 0.2 MByte

SI2399DS-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

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SI2399DS-T1-GE3 产品修订记录

VISHAY（威世）

2 页 / 0.09 MByte

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