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SI3442BDV-T1-GE3
器件3D模型
0.315
SI3442BDV-T1-GE3 数据手册 (9 页)
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SI3442BDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
TSOP
漏源极电阻
0.045 Ω
功耗
1.67 W
阈值电压
1.8 V
漏源极电压(Vds)
20 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SI3442BDV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI3442BDV-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology
9 页 / 0.17 MByte

SI3442BDVT1 数据手册

VISHAY(威世)
N沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI3442BDV-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 1.8 V
Vishay Intertechnology
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