￥ 0.14

SI3442DV 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI3442DV 数据手册 (7 页)

SI3442DV 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

4.10 A

封装

TSOT-23-6

通道数

1 Channel

漏源极电阻

39 mΩ

功耗

1.6 W

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

栅源击穿电压

8.00 V

连续漏极电流(Ids)

4.10 A

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

365pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

800 mW

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1.6W (Ta)

查看数据手册 >

SI3442DV 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.6 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

SI3442DV 符合标准

SI3442DV 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.08 MByte

SI3442DV 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.07 MByte

SI3442 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

SI3442BDV-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

SI3442BDV-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

SI3442BDV-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI3442CDV-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

SI3442DV 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

SI3442BDV-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI3442BDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 1.8 V

SI3442BDV-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI3442CDV-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor

SI3442CDV-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号