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SI3456DDV-T1-E3
器件3D模型
0.111
SI3456DDV-T1-E3 数据手册 (12 页)
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SI3456DDV-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
6 Pin
封装
SOP
功耗
1700 mW
上升时间
13 ns
输入电容值(Ciss)
325pF @15V(Vds)
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1700 mW

SI3456DDV-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
1 mm

SI3456DDV-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
12 页 / 0.19 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
11 页 / 0.19 MByte

SI3456DDVT1 数据手册

VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI3456DDV-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 1.2 V
Vishay Semiconductor(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Intertechnology
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