器件3D模型

￥ 0.244

SI3457BDV-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TSOP-6

描述:

P通道30 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI3457BDV-T1-E3 数据手册 (11 页)

封装尺寸在7 页

SI3457BDV-T1-E3 数据手册 (11 页)

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SI3457BDV-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOP-6

极性

P-CH

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

3.7A

额定功率(Max)

1.14 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.14 W

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SI3457BDV-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

长度

3.05 mm

宽度

1.65 mm

高度

1 mm

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SI3457BDV-T1-E3 符合标准

SI3457BDV-T1-E3 概述

SI3457BDV-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

11 页 / 0.18 MByte

SI3457BDV-T1-E3 其他数据使用手册

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11 页 / 0.2 MByte

SI3457BDV-T1-E3 产品手册

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