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SI3457DV 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TSOT-23-6

描述:

SI3457DV系列 P沟道 30 V 50 mOhms 逻辑电平 PowerTrench Mosfet - SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI3457DV 数据手册

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SI3457DV 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.044 Ω

功耗

1.6 W

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

470pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

800 mW

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1600 mW

SI3457DV 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

SI3457DV 符合标准

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