器件3D模型

￥ 1.288

SI3458BDV-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TSOP-6

描述:

N通道60 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI3458BDV-T1-GE3 数据手册 (11 页)

封装尺寸在7 页

SI3458BDV-T1-GE3 数据手册 (11 页)

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SI3458BDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

6 Pin

封装

TSOP-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.082 Ω

极性

N-CH

功耗

2 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

3.2A

输入电容值(Ciss)

350pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

3.3 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta), 3.3W (Tc)

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SI3458BDV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

最小包装数量

3000

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SI3458BDV-T1-GE3 符合标准

SI3458BDV-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

11 页 / 0.21 MByte

SI3458BDV-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

11 页 / 0.2 MByte

SI3458BDV-T1-GE3 产品修订记录

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1 页 / 0.22 MByte

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