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SI3460BDV-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI3460BDV-T1-GE3 数据手册 (11 页)

SI3460BDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

极性

N-Channel

功耗

2W (Ta), 3.5W (Tc)

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

6.70 A

输入电容值(Ciss)

860pF @10V(Vds)

耗散功率(Max)

2W (Ta), 3.5W (Tc)

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SI3460BDV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SI3460BDV-T1-GE3 符合标准

SI3460BDV-T1-GE3 概述

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