器件3D模型

￥ 0.671

SI3460DV-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TSOP

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI3460DV-T1-GE3 数据手册 (9 页)

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SI3460DV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

6 Pin

封装

TSOP

漏源极电阻

0.027 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.1 W

阈值电压

450 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

6.80 A

上升时间

30 ns

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

SI3460DV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

工作温度

-55℃ ~ 150℃

SI3460DV-T1-GE3 符合标准

SI3460DV-T1-GE3 数据手册

SI3460DV-T1-GE3 其他数据使用手册

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9 页 / 0.17 MByte

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