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SI3473CDV-T1-GE3
器件3D模型
0.224
SI3473CDV-T1-GE3 数据手册 (11 页)
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SI3473CDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
6 Pin
封装
TSOP
漏源极电阻
0.016 Ω
极性
P-Channel
功耗
4.2 W
工作温度(Max)
150 ℃

SI3473CDV-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
11 页 / 0.22 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
11 页 / 0.22 MByte

SI3473CDVT1 数据手册

VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -12 V, 0.016 ohm, -4.5 V, -1 V
VISHAY(威世)
P通道12 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
P通道12 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
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