器件3D模型

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SI3552DV-T1 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TSOP

描述:

N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI3552DV-T1 数据手册

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SI3552DV-T1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOP

漏源极电阻

105 mΩ

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

1.15 W

漏源极电压(Vds)

30.0 V

漏源击穿电压

±30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

51.0 A

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